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洁净室氧化炉管使用操作方法

    一般洁净室所採用之氧化炉管為Lenton LTF 1200水平管状式炉子，可放2英吋硅晶圆，加热区大於50cm，高温度可达1200?C并可连续24hr，大操作温度為1150?C，温控方式採用PID微电脑自动温度控制器。

目的

    将硅晶片曝露在高温且含氧的环境中一段时间后，我们可以在硅晶片的表面生长一层与硅的附著性良好，且电性符合我们要求的绝缘体-SiO2。

注意:

＊ 在开啟氧化炉之前，必须先确定【HEAT】Switch设定為【O】关闭的状态。Switch在有电源供应时【l】将会发光，而氧化炉也将开始加热。

＊ 如果过温?；ぷ爸檬呛玫模肴范ňǖ愕纳瓒赌壳暗氖褂霉讨袨榍〉钡亍Ｈ绻缺；ぷ爸檬呛玫?，蜂呜器会有声音，在过温控制操作中有警报一致的程序。

＊ 為了改善石英玻璃管或衬套热量的碰撞，其加热速率大不能超过3?C per min。

＊ 為了减少热流失，必须确定正确的操作程序，适当的使用绝缘栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。

＊ 在操作氧化炉时不要在大温度下关闭氧化炉，以延长氧化炉的寿命。

操作步骤:

1.    检查前一次操作是否有异常问题发生，并填写操作记录。

2.    检查机台状态