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10-19
2011半导体无尘室操作使用须知半导体无尘室操作使用须知处理晶片时,必须戴上无纤维手套,使用清洗过的乾净镊子挟持晶片,请勿以手指或其他任何东西接触晶片,遭碰触污染过的晶片须经清洗,方得继续使用:(1) 任
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10-18
2011洁净室纯水系统使用操作方法洁净室纯水系统使用操作方法1. 阀门控制(1) 阀门(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19应保持全开。(2) 阀门V5、V7、V11、V18、V21应保持全关
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10-18
2011洁净室光罩对对准机使用操作方法洁净室光罩对对准机使用操作方法曝光机简介 在半导体製程中,涂佈光阻后的晶片,须经UV紫外光照射曝光显影,此臺曝光机為OAI 200系列,整合光罩对準、UV紫外光曝光显影、U
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10-18
2011洁净室热蒸镀机使用操作方法洁净室热蒸镀机使用操作方法A.开机步骤1. 开机器背面的总电源开关。2. 开冷却水,需先啟动D.I Water 系统。3. 开RP,热机2分鐘。4. 开三向阀切至F.V的位置,等2分鐘。5. 开DP,热机30分鐘(热机
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10-18
2011洁净室氧化炉管使用操作方法洁净室氧化炉管使用操作方法 一般洁净室所採用之氧化炉管為Lenton LTF 1200水平管状式炉子,可放2英吋硅晶圆,加热区大於50cm,高温度可达1200?C并可连续24hr,大操作温度為1150
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10-17
2011半导体无尘室黄光区操作及镊子使用须知半导体无尘室黄光区操作及镊子使用须知1. 湿度及温度会影响对準工作,在黄光区应注意温度及湿度,并应减少对準机附近的人,以减少湿、温度的变化。2. 上妥光阻尚未曝光完成之晶片,
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10-17
2011无尘车间使用化学药品使用须知无尘车间使用化学药品使用须知1. 化学药品的进出须登记,并知会管理人,并附上物质安全资料表(MSDS)於实验室门口。2. 使用化学药品前,请详读物质安全资料表(MSDS),并告知管理人。3.
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10-14
2011洁净室涂布机使用操作方法洁净室涂布机使用操作方法1. 首先将PUMP的电源插头插入涂布机后面的电源插座。2. 将涂布机的插头插入110V的电源插座,然后按下【POWER】键。3. 设定旋转的转速及时间,本机型為二段式加速